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微型PECVD体例选择Φ 3“ × 16“ 的石英腔体，内里设有加热圈对样品进行加热，Z高温度可能达到400℃，且选择程序化控温，体例配有二通道混气装置和双旋刻板泵，整套体例安放于移动架上，便于试验操作。本体例系对于薄膜成长和纳米线的制作是Z佳的选择。

升温CVD编制RTP-1000-F3LV是半导体基片、太阳能电池及其它样品的退火而设计，配有三路流量计和机械泵。本机选拔 9KW的红外灯进行加热，Z快升温速率可达 100℃/s，配有RS485 接口，可以通过控制软件在计算机上控制运行并展现温度曲线。

开启式单温区低真空CVD系统OTF-1200X-F3LV是由开启式单温区管式炉、机械泵、三通道浮子混气系统组成，可为CVD或扩散试验供应1-3种的混合气体，真空度可达10-2torr。

高真空CVD体例OTF-1200X-80-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气体例和高真空机组构成，Z高工作温度可达1200℃，混气体例可能对两种气体进行正确的混气，然后导入管式炉内部，本体例极限真空度可达10-5 torr。

1200℃双管滑动式四通道混气CVD体例OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔外貌发展薄膜而设计的，是应用在新一代能源—柔性金属箔电极方面的考究。

高真空CVD编制OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气编制和高真空机组构成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品的退火，并选择 10KW的红外灯进行加热，Z快升温速率可达 120℃/s，配有RS485 接口，可能通过控制软件在计算机上控制运行并再现温度曲线。